VMOSFET，全称为垂直导电型金属氧化物半导体场效应管，是一种广泛 应用于开关电源 、马达控制、开关型变换器和削波器等电路中的电子元件，它具有功耗小、温度稳定性高、 输入阻抗大等许多优点。VMOSFET元件的主要技术参数有漏-源导通电阻(又称通态电阻)RDS(ON)、漏-源击穿电压U(BR)DSS、漏极直流电流ID等。 本文介绍一种业余条件下漏-源导通电阻的检测方法，当在削波器中使用VMOSFET元件时， 该参数对于电路设计具有重要的意义。

　　本方法需要元件少，操作方便，结论可靠。具体检测电路如附图所示。

　　图中元件选择如下：R1、R2为10W/18Ω的功率型电阻器，R3为0.25W/1kΩ的普通电阻器，S1为电源开关，S2为非自锁开关，S3为小型钮子开关。电源采用直流稳压电源(输出电压范围：0～30V；输出电流范围：0～3A)。 具体检测方法按下述步骤进行。 字串9

附图 VMOSFET漏-源导通电阻检测电路图 字串3

　　1.准备
　　调节稳压电源的电压调节旋钮，使其输出电压为15V，将稳压电源接入检测电路中。

　　2.调节测试电流
　　打开电源开关S1，将开关S3置于接通位置，调节稳压电源电流调节旋钮，使电流表显示的测试电流为1.5A。调节完毕，将开关S3置于断开位置。

　　3.检测
　　关闭电源开关，按附图所示将被测VMOSFET正确接入检测电路中，打开电源开关S1 ，按住开关S2，同时读取电压表显示的电压值U和电流值I。读取数据后，立即放开开关S2。

　　4.计算
　　将测试数据代入下面公式中即可求得被测VMOSFET的漏-源导通电阻值。

　　　　　　　　　　RDS(ON)=U/I

　　式中 RDS(ON)--VMOSFET漏-源导通电阻值，Ω；

　　　　　　　　　　U--检测出的电压值，V；

　　　　　　　　　　I--测试电流值，A。

　　下面以IRF640型VMOSFET为例，对上述方法做进一步的验证。

　　按上述方法将IRF640型VMOSFET接入电路中，当测试电流I=1.50A时，测得电压U=0 .22V。 代入公式中，得RDS(ON)=U/I=0.22/1.50≈0.15Ω。查阅《国内外功率晶体管实用手册(下)》可知，IRF640型VMOSFET为Siliconix Inc.公司生产的N沟道增强型硅栅 。其RDS(ON)的典型值为0.14Ω，最大值为0.18Ω。

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