本文介绍的测试方法可直接测试光电耦合器的重要参数——电流传输比ＣＲＴ。

测试电路见图。万用表（以ＤＴ８３０为例）拨至测ＮＰＮ管挡，在ｈＦＥ插口的ｃ孔上有２．８Ｖ的电压，ｅ孔在表内接２００ｍＶ测试挡的输入端，ｅ孔与地ＣＯＭ之间接有一个１０Ω的电阻。如图接好所测光电耦合器（以Ｐ６２１为例）后，光耦的①、②脚间电压约为１Ｖ，流过发光二极管的电流ｉ１约１ｍＡ。流过光敏管的电流ｉ２在１０Ω电阻上产生压降，量程为２００ｍＶ的电压表所测的电压就是１０Ω电阻上的电压，１０Ω电阻起Ｉ－Ｖ转换的作用。

万用表在测ｈＦＥ时，等效量程为２００ｍＶ但无小数点的电压表，这时显示值的１个单位代表０．１ｍＶ。如在ＬＣＤ上的读数是１０００，则表示１０Ω电阻上的电压是１０００×０．１＝１００ｍＶ，同时可推知ｉ２＝１００／１０＝１０ｍＡ。

光电耦合器的电流传输比ＣＲＴ的定义是ＣＲＴ＝ｉ２／ｉ１×１００％，将ｉ１、ｉ２的数据代入，得ＣＲＴ＝１０／１×１００％，＝１０００％，数值上与ＬＣＤ的读数相同，说明此法可直接测得光耦的ＣＲＴ。