ESL: 自感 / 等效串联电感源于线端及内部构造，如 电解电容简化等效电路模式图所示。其值也会随着使用条件的不同而略有不同。在低频率应用（相对于容抗值占绝对数量的情况下。约 1KHz 频率以内）可忽略其值而简化分析中计算。随着频率的增加器件感抗值在整体的阻抗中扮演越来越显著的角色，此种应用的条件下须得将其影响包含进去分析。

ESR: 等效串联电阻 如 电解电容简化等效电路模式图所示。其值同频率及温度有关。是它决定了损耗因子，数学定义式： ESR=( tan δ )/( w C s) 。当计算此数值时应当考虑到额定容量值的偏差量。

Z: 电解电容的总阻抗分析可以简单理解为 C 、 ESR 、 ESL 三者独立理想器件的串联组合（一般电解电容都具有很大的 Rleak ，在一般应用分析中可将其省略）。

感抗 w ESL 仅受频率的影响，而容抗 1/ w C s 和 ESR 却受频率及温度的双重影响。

下图提供了一个 电解电容阻抗的频率及温度特征曲线。

– 低频率阶段容抗 (X C = 1/ w C s ) 占绝对主导地位。

– 随着频率的增加，容抗 (X C = 1/ w C s ) 会一直衰减到与电解阻抗同一个数量级别上。

– 在更高的频率段上，电解阻抗取代容抗 占据了主 导 地位 ( 温度不变的情况下 ),

– 当到达共振频率（ resonance frequency ）时，容抗和感抗相互抵消，电容呈近乎纯电阻特性， ESR 占主导地位。如下图曲线最低凹谷段。

– 高于此频率之后，电容器绕组和线端的感抗（ X L = w L ） 扮演越来越重要的角色并占据主 导 地位 。 并导致整体阻抗的升高。

    从各温度曲线的比较可以看出，电解阻抗随着温度的降低而急剧增大。

	总阻抗的温度频率特性 共振频率（ resonance frequency ） Fr ≈ 105Hz （ 100 uF/63 VDC ）
	总阻抗的温度频率特性 共振频率（ resonance frequency ） Fr ≈ 105Hz （ 47 uF/350 VDC ）
	R,XC,XL 各自的一般频率特性

tan δ： 损耗因子 tan δ定义为等效串联电阻与容抗的比值。或者是正弦波 通过电容器时的有功功率（损耗功率）跟无功功率的比值 （ the ratio of effective power (dissipated power) to reactive power for sinusoidal voltages ） 。测试条件与 CS 的测试条件一样。

损耗角 tan δ =R/Xc= w CR; 损 耗因子 DF= tan δ× 100%; 功率因子 =cos q =R/Z; Q=1/ tan δ。

IEC 60384-4 对参数 tan δ作了如下的最大值约束

额定电压	4 V < U R < 10 V	10 V < U R < 25 V	25 V < U R < 63 V	63 V < U R
最大损耗因子 （ 100 Hz ）	0 ． 5	0 ． 35	0 ． 25	0 ． 20

这些最大值适用于最大容量为 100 ， 000uF 电容器的情况。而对于大过 100 ， 000uF 电容器的情况最大 tan δ可按容量比例地相应大一些。

损耗角的频率及温度特性

    如同容量参数之于频率和温度关系，损耗角同频率及温度存在着如下的特征关系：一般地损耗角会随着频率的增大而增大；而会随着温度的升高而有所减小。如下两图是普通用途高 / 低压电容损耗角的频率及温度特性曲线

电解电容的主要电路参数包括：自感 / 等效串联电感（ Self-inductance /Equivalent Series Inductance ESL ）；等效串联电阻（ Equivalent series resistance ESR ）；阻抗（ Impedance Z ）；损耗因子 tan δ (Dissipation factor tan δ ) 其等效电路参数示意图：

C ：自身电容， 容抗 1/ w C 。 Rleak ：绝缘电阻。其表达了电容器漏电流的大小； ESR ：等效串联电阻。电解液及线端的电介损耗和电阻。 ESL ：等效串联电感。 表电容器绕组和线端的感抗 w ESL Z ：总阻抗