| | 网站首页 | 电子基础 | 电子应用 | 电子电路图 | 雁过留声 | 软硬件设计 | | |
![]() |
![]() |
| 您现在的位置: 迷失者电子网 >> 电子基础 >> 名词术语 >> 文章正文 |
|
|||||
|
半导体器件型号命名方法 |
|||||
| 半导体器件型号命名方法 |
|||||
作者:佚名 文章来源:网络 点击数: 更新时间:2008-5-14 ![]() |
|||||
|
第一部分:用字母表示器件使用的材料。a-器件使用材料的禁带宽度eg=0.6~1.0ev 如锗、b-器件使用材料的eg=1.0~1.3ev 如硅、c-器件使用材料的eg>1.3ev 如砷化镓、d-器件使用材料的eg<0.6ev 如锑化铟、e-器件使用复合材料及光电池使用的材料 第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。a-检波开关混频二极管、b-变容二极管、c-低频小功率三极管、d-低频大功率三极管、e-隧道二极管、f-高频小功率三极管、g-复合器件及其他器件、h-磁敏二极管、k-开放磁路中的霍尔元件、l-高频大功率三极管、m-封闭磁路中的霍尔元件、p-光敏器件、q-发光器件、r-小功率晶闸管、s-小功率开关管、t-大功率晶闸管、u-大功率开关管、x-倍增二极管、y-整流二极管、z-稳压二极管。 第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。 第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。a、b、c、d、e┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。 除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。常见后缀如下: 1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母a、b、c、d、e分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三部分是字母v,代表小数点,字母v之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。 2、整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特。 3、晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。 如:bdx51-表示npn硅低频大功率三极管,af239s-表示pnp锗高频小功率三极管 |
|||||
| 文章录入:admin 责任编辑:admin | |||||
| 【发表评论】【加入收藏】【告诉好友】【打印此文】【关闭窗口】 | |||||
| 最新热点 | 最新推荐 | 相关文章 | ||
| 中国半导体器件型号命名方法 半导体分立器件型号命名02 半导体分立器件型号命名 半导体燃料发电机简介 半导体知识 半导体器件术语缩写 半导体分立器件的型号命名 半导体器件型号命名法 半导体二极管参数符号及意义 日本半导体集成电路型号的命 |
网友评论:(只显示最新10条。评论内容只代表网友观点,与本站立场无关!) |
| | 设为首页 | 加入收藏 | 联系站长 | 友情链接 | 版权申明 | 管理登录 | | |
![]() |
Copyright@ 2005-2008 www.MsZhe.com All rights reserved |