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中国半导体器件型号命名方法 |
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| 中国半导体器件型号命名方法 |
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作者:佚名 文章来源:网络 点击数: 更新时间:2008-5-14 ![]() |
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第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:a-n型锗材料、b-p型锗材料、c-n型硅材料、d-p型硅材料。表示三极管时:a-pnp型锗材料、b-npn型锗材料、c-pnp型硅材料、d-npn型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。p-普通管、v-微波管、w-稳压管、c-参量管、z-整流管、l-整流堆、s-隧道管、n-阻尼管、u-光电器件、k-开关管、x-低频小功率管(f<3mhz,pc<1w)、g-高频小功率管(f>3mhz,pc<1w)、d-低频大功率管(f<3mhz,pc>1w)、a-高频大功率管(f>3mhz,pc>1w)、t-半导体晶闸管(可控整流器)、y-体效应器件、b-雪崩管、j-阶跃恢复管、cs-场效应管、bt-半导体特殊器件、fh-复合管、pin-pin型管、jg-激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号 例如:3dg18表示npn型硅材料高频三极管 |
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