一、术语解释

1、 标称频率：晶体技术条件中规定的频率，通常标识在产品外壳上。

2、 工作频率：晶体与工作电路共同产生的频率。

3、 调整频差：在规定条件下，基准温度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。

4、 温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25±2℃）时工作频率的允许偏差。

5、 老化率：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。

6、 静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用c0表示。

7、 负载电容：与晶体一起决定负载谐振频率fl的有效外界电容，通常用cl表示。负载电容系列是：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就应选推荐值：10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。

8、 负载谐振频率（fl）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为
电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。

9、 动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻。用r1表示。

10、 负载谐振电阻：在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用rl表示。　rl＝r1（1+c0/cl）211、 激励电平：晶体工作时所消耗功率的表征值。激励电平可选值有：2mw、1mw、0.5mw 、0.2mw、0.1mw、50μw、20μw、10μw、1μw、0.1μw等

11、 基频：在振动模式最低阶次的振动频率。

12、 泛音：晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍，这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。

二、应用指南

石英晶体谐振器根据其外型结构不同可分为hc-49u、hc-49u/s、hc-49u/s·smd、um-1、um-5及柱状晶体等。
　　hc-49u适用于具有宽阔空间的电子产品如通信设备、电视机、电话机、电子玩具中。
　　hc-49u/s适用于空间高度受到限制的各类薄型、小型电子设备及产品中。
　　hc-49u/s·smd为准表面贴装型产品，适用于各类超薄型、小型电脑及电子设备中。
　　柱状石英晶体谐振器适用于空间狭小的稳频计时电子产品如计时器、电子钟、计算器等。
　　um系列产品主要应用于移动通讯产品中，如bp机、移动手机等。
　　石英晶体谐振器主要用于频率控制和频率选择电路。本指南有助于确保不出现性能不满意、成本不合适及可用性不良等现象。

1、 振动模式与频率关系：
　　　　　　　　　　　　　　　　　基频 　 1～35mhz
　　　　　　　　　　　　　　　　　3次泛音 10～75mhz
　　　　　　　　　　　　　　　　　5次泛音 50～150mhz
　　　　　　　　　　　　　　　　　7次泛音 100～200mhz
　　　　　　　　　　　　　　　　　9次泛音 150～250mhz
2、 晶体电阻：对于同一频率，当工作在高次泛音振动时其电阻值将比工作在低次振动时大。"信号源+电平表"功能由网络分析仪完成
　　ri、r0：仪器内阻：一般为50ω
　　r1--滤波器输入端外接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50ω。
　　r2--滤波器输出端外接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50ω。
　　在滤波器条件的匹配阻抗中有时有并接电容要求，应按上图连接。

3、 工作温度范围与温度频差：在提出温度频差时，应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高，同时空间和功率都允许的情况下，应考虑恒温工作，恒温晶体振荡器就是为此而设计的。

4、 负载电容与频率牵引：在许多应用中，都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求，这在锁相环回路及调频应用中非常必要，大多数情况下，这个负载电抗呈容性，当该电容值为cl时，则相对负载谐振频率偏移量为：dl=c1/[2（c0+cl）]。而以cl作为可调元件由dl1调至dl2时，相对频率牵引为：
dl1，l2= c1（cl1－cl2）/[2（c0+cl1）（c0+cl2）]。

5、 负载电容的选择：晶体工作在基频时，其负载电容的标准值为20pf、30pf、50pf、100pf。而泛音晶体经常工作在串联谐振，在使用负载电容的地方，其负载电容值应从下列标准值中选择：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf。

6、 激励电平的影响：一般来讲，at切晶体激励电平的增大，其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应，导致可能出现寄生振荡；严重热频漂；过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作不良及指标的不稳定。

7、 滤波电路中的应用：应用于滤波电路中时，除通常的规定外，更应注意其等效电路元件的数值和误差以及寄生响应的位置和幅度，由于滤波晶体设计的特殊性，所以用户选购时应特别说明。